Einführung thermische Leitfähigkeit von Aluminiumnitrid

Aluminiumnitrid (ALN) hat die Eigenschaften einer hohen Festigkeit, einem hohen Volumenwiderstand, einer hohen Isolierung im Widerstandspannung, dem Koeffizienten der thermischen Expansion und einer guten Übereinstimmung mit Silizium usw., nicht nur als Sinterhilfe oder Nutzung der Orcing -Phase für technische Keramik, insbesondere für technische Keramik,, insbesondere als Sinterhilfen oder Nutzungsanschluss, insbesondere als Sinterhilfen oder Nutzungsanschluss für technische Keramik Auf dem Gebiet des Keramik -Substrats, des in den letzten Jahren in Brand stehenden Keramikblechs und Verpackungsmaterialien übersteigt die Leistung weit über die von Aluminiumoxid.

Unter den wichtigsten Eigenschaften von Aluminiumnitrid ist die wärme Leitfähigkeit der HIG am bedeutendsten. In Bezug auf den thermischen Leitfähigkeitsmechanismus von Aluminiumnitrid wurde im In- und Ausland viel Forschung durchgeführt, und es wurde ein relativ vollständiges theoretisches System gebildet. Der Hauptmechanismus ist: Vibration durch Gitter, dh die Wärmeübertragung mit Hilfe von Gitterwellen oder Wärmewellen. Die Ergebnisse der Quantenmechanik zeigen uns, dass Gitterwellen als Bewegung eines Partikels, eines Phonons, verarbeitet werden können. Wärmewellen haben auch Wellenpartikel-Dualität. Wärme tragende Phononen übertragen Wärme durch gegenseitig restriktive und koordinierte Schwingungen zwischen strukturellen Radikalen (Atome, Ionen oder Moleküle). Wenn der Kristall ein Inelastomer mit einer perfekt idealen Struktur ist, kann die Hitze ohne Störungen und Streuung frei an die Kaltverbindung übertragen werden, und die thermische Leitfähigkeit kann einen sehr hohen Wert erreichen. Seine thermische Leitfähigkeit wird hauptsächlich durch Kristalldefekte und Phononstreuung durch die Phononen selbst gesteuert.

Theoretisch kann die thermische Leitfähigkeit von ALN ​​320 W · m-1 · k-1 erreichen, aber aufgrund von Verunreinigungen und Defekten in Aln beträgt die thermische Leitfähigkeit von Aluminiumnitrid-Keramik-Substrat weniger als 200 W · M-1 · k-1. Dies ist hauptsächlich darauf zurückzuführen, dass die strukturellen Primitiven innerhalb des Kristalls keine völlig strenge einheitliche Verteilung haben können, und es gibt immer spärliche und dichte verschiedene Regionen, sodass die aktuell tragenden Phononen während der Ausbreitung immer gestört und verstreut werden.