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Kürzlich beschrieben Ingenieure der University of California, Berkeley, einen großen Durchbruch bei der Gestaltung von Transistoren (winzige elektronische Schalter, die Computerbausteine bilden), die ihren Energieverbrauch dramatisch reduzieren können, ohne Geschwindigkeit, Größe oder Leistung zu beeinträchtigen. Dieses Element wird als Gateoxidschicht bezeichnet, die eine Schlüsselrolle beim Wechsel von Transistoren spielt.
In dieser Studie könnte das Team auch eine negative Kapazität erreichen, indem sie Hafniumoxid und Zirkonia in einer konstruierten Kristallstruktur kombiniert, die als Superlattice bezeichnet wird, und ermöglichte auch, dass sowohl die Ferroelektrizität als auch die antiferroelektrische Antiferroelektrizität gleichzeitig existieren. Es wurde festgestellt, dass diese Transistoren etwa 30% weniger Spannung benötigten als vorhandene Transistoren, während der Benchmark der Halbleiterindustrie ohne die Zuverlässigkeit aufrechterhalten wurde.
Dieser Test der neuen Anwendung von Zirkonia zeigt ferner, dass das Entwicklungspotential von Zirkonia -Keramikkomponenten enorm ist. Die traditionelle Anwendung von Zirkonia wird hauptsächlich an Zirkonia-Keramikwellen , Zirkonia-Keramik-Strukturkomponente, als Rohstoff für Refraktionen, Beschichtungen und Glasuren usw. hergestellt , wobei ein detailliertes Verständnis der thermodynamischen und elektrischen Eigenschaften von Zirkoniakeramik, sobald möglich, um als Hochleistungsstrukturkeramik und festes dielektrisches Material weit verbreitet zu sein.
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